
Ilustrační obrázek
IRF530N
tranzistor MOSFET
TO-263-3
Infineon Technologies
INF
N-kanál
17 A
100 V
3.8 W
90 mΩ
9 A
10 V
4 V
250 µA
37 nC
10 V
920 pF
25 V
-55 °C
povrchová montáž
HEXFET®
+175 °C
standardní
100 V
1
1 ks
HEXFET
IRF 530 N
100 V/15 A
List technických údajů 162410 Infineon Technologies IRF530N tranzistor MOSFET 1 N-kanál 3.8 W TO-263-3
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 162410 Infineon Technologies IRF530N tranzistor MOSFET 1 N-kanál 3.8 W TO-263-3
123,05 Kč*
K použití tohoto produktu je zapotřebí toto příslušenství.