Ilustrační obrázek
Ilustrační obrázek
Infineon Technologies IRF630N tranzistor MOSFET 1 N-kanál 82 W TO-263-3
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
TO-263-3
Provedení
N-kanál
Výkon
82 W
R(DS)(on)
300 mΩ
Datasheety: (PDF)
Množství (Ks)
Sleva
Cena balení (Bez DPH.)
3
-
14,04 Kč
9
7% = 0,99 Kč
13,05 Kč
15
10% = 1,44 Kč
12,60 Kč
30
12% = 1,74 Kč
12,30 Kč
60
15% = 2,08 Kč
11,96 Kč
120
17% = 2,45 Kč
11,59 Kč
Množstevní slevy se liší podle prodejce
Ušetříte 0,00 Kč
Počet
Min.: 3
Celková cena (14,04 Kč / kus)
42,12 Kč
Bez DPH.
14denní lhůta pro vrácení zboží je zahrnuta v ceně
Hlavní benefity
MOSFET (HEXFET/FETKY)
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Typ
IRF630N
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
TO-263-3
- Výrobce
Infineon Technologies
- Výrobce
INF
- Provedení
N-kanál
- I(d)
9.3 A
- UBR DSS
200 V
- Výkon
82 W
- R(DS)(on)
300 mΩ
- Referenční proud R(DS)(on)
5.4 A
- Referenční napětí R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) max. referenční proud
250 µA
- Q(G)
35 nC
- Referenční napětí Q(G)
10 V
- C(ISS)
575 pF
- Referenční napětí C(ISS)
25 V
- Provozní teplota (min.)
-55 °C
- Způsob montáže
povrchová montáž
- Série
HEXFET®
- Provozní teplota (max.)
+175 °C
- Vlastnost tranzistoru
standardní
- U(DSS)
200 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
- Provedení
HEXFET
- Typ
IRF 630 N
- Popis
200 V/9 A
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 162421 Infineon Technologies IRF630N tranzistor MOSFET 1 N-kanál 82 W TO-263-3
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 162421 Infineon Technologies IRF630N tranzistor MOSFET 1 N-kanál 82 W TO-263-3
Popis
Tranzistor MOSFET je stavební součástka řízená napětím, kterou lze připojit přímo na vysokoohmové zdroje. Je proto vhodná pro použití jako vypínač nebo analogový zesilovač. Tento tranzistor je kompatibilní s µC, TTL a CMOS. Poznámka_ Výrobce SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.