Ilustrační obrázek
Ilustrační obrázek
Infineon Technologies IRF1310NPBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 160 W TO-220AB
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
TO-220AB
Provedení
N-kanál
Výkon
160 W
R(DS)(on)
36 mΩ
Datasheety: (PDF)
Počet
Celková cena (17,35 Kč / kus)
17,35 Kč
Bez DPH.
14denní lhůta pro vrácení zboží je zahrnuta v ceně
Hlavní benefity
MOSFET (HEXFET/FETKY)
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Typ
IRF1310NPBF
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
TO-220AB
- Výrobce
Infineon Technologies
- Výrobce
INF
- Provedení
N-kanál
- I(d)
42 A
- UBR DSS
100 V
- Výkon
160 W
- R(DS)(on)
36 mΩ
- Referenční proud R(DS)(on)
22 A
- Referenční napětí R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) max. referenční proud
250 µA
- Q(G)
110 nC
- Referenční napětí Q(G)
10 V
- C(ISS)
1900 pF
- Referenční napětí C(ISS)
25 V
- Provozní teplota (min.)
-55 °C
- Způsob montáže
průchozí otvor
- Série
HEXFET®
- Provozní teplota (max.)
+175 °C
- Vlastnost tranzistoru
standardní
- U(DSS)
100 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
- Provedení
HEXFET
- Typ
IRF 1310 N
- Popis
100 V/43 A
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 162368 Infineon Technologies IRF1310NPBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 160 W TO-220AB
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 162368 Infineon Technologies IRF1310NPBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 160 W TO-220AB
Popis
Tranzistor MOSFET je stavební součástka řízená napětím, kterou lze připojit přímo na vysokoohmové zdroje. Je proto vhodná pro použití jako vypínač nebo analogový zesilovač. Tento tranzistor je kompatibilní s µC, TTL a CMOS. Poznámka_ Výrobce SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.