Ilustrační obrázek
Ilustrační obrázek
Infineon Technologies BSS83P tranzistor MOSFET 1 P-kanál 360 mW TO-236-3
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
TO-236-3
Provedení
P-kanál
Výkon
360 mW
R(DS)(on)
2 Ω
Datasheety: (PDF)
Množství (Ks)
Sleva
Cena balení (Bez DPH.)
10
-
6,19 Kč
30
6% = 0,38 Kč
5,81 Kč
50
13% = 0,79 Kč
5,40 Kč
100
15% = 0,94 Kč
5,25 Kč
Množstevní slevy se liší podle prodejce
Ušetříte 0,00 Kč
Počet
Min.: 10
Celková cena (6,19 Kč / kus)
61,90 Kč
Bez DPH.
Hlavní benefity
Tranzistor pro malý signál
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Typ
BSS83P
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
TO-236-3
- Výrobce
Infineon Technologies
- Výrobce
INF
- Provedení
P-kanál
- I(d)
330 mA
- UBR DSS
60 V
- Výkon
360 mW
- R(DS)(on)
2 Ω
- Referenční proud R(DS)(on)
330 mA
- Referenční napětí R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
2 V
- U(GS)(th) max. referenční proud
80 µA
- Q(G)
3.57 nC
- Referenční napětí Q(G)
10 V
- C(ISS)
78 pF
- Referenční napětí C(ISS)
25 V
- Provozní teplota (min.)
-55 °C
- Způsob montáže
povrchová montáž
- Série
SIPMOS®
- Provozní teplota (max.)
+150 °C
- Vlastnost tranzistoru
hradlo s logickou úrovní
- U(DSS)
60 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
- Typ
BSS 83 P
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 153047 Infineon Technologies BSS83P tranzistor MOSFET 1 P-kanál 360 mW TO-236-3
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 153047 Infineon Technologies BSS83P tranzistor MOSFET 1 P-kanál 360 mW TO-236-3
Popis
Obohacený P kanál