Ilustrační obrázek
Ilustrační obrázek
Infineon Technologies BSP149 tranzistor MOSFET 1 N-kanál 1.8 W TO-261-4
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
TO-261-4
Provedení
N-kanál
Výkon
1.8 W
R(DS)(on)
1.8 Ω
Datasheety: (PDF)
Počet
Min.: 3
Celková cena (7,84 Kč / kus)
23,52 Kč
Bez DPH.
14denní lhůta pro vrácení zboží je zahrnuta v ceně
Hlavní benefity
Tranzistor pro malý signál
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Typ
BSP149
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
TO-261-4
- Výrobce
Infineon Technologies
- Výrobce
INF
- Provedení
N-kanál
- I(d)
660 mA
- UBR DSS
200 V
- Výkon
1.8 W
- R(DS)(on)
1.8 Ω
- Referenční proud R(DS)(on)
660 mA
- Referenční napětí R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
1 V
- U(GS)(th) max. referenční proud
400 µA
- Q(G)
14 nC
- Referenční napětí Q(G)
5 V
- C(ISS)
430 pF
- Referenční napětí C(ISS)
25 V
- Provozní teplota (min.)
-55 °C
- Způsob montáže
povrchová montáž
- Série
SIPMOS®
- Provozní teplota (max.)
+150 °C
- Vlastnost tranzistoru
ochuzovací režim
- U(DSS)
200 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
- Typ
BSP 149
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 153177 Infineon Technologies BSP149 tranzistor MOSFET 1 N-kanál 1.8 W TO-261-4
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 153177 Infineon Technologies BSP149 tranzistor MOSFET 1 N-kanál 1.8 W TO-261-4
Popis
Typ s ochuzným N kanálem