
Ilustrační obrázek
Ilustrační obrázek
IRF3710
tranzistor MOSFET
TO-220AB
Infineon Technologies
INF
N-kanál
59 A
100 V
160 W
18 mΩ
35 A
10 V
4 V
250 µA
120 nC
10 V
2900 pF
25 V
-55 °C
povrchová montáž
HEXFET®
+175 °C
standardní
100 V
1
1 ks
HEXFET
IRF 3710
100 V/46 A
List technických údajů 162397 Infineon Technologies IRF3710 tranzistor MOSFET 1 N-kanál 160 W TO-220AB
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 162397 Infineon Technologies IRF3710 tranzistor MOSFET 1 N-kanál 160 W TO-220AB