Ilustrační obrázek
Ilustrační obrázek
Infineon Technologies IRF3710SPBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 200 W D2PAK
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
D2PAK
Provedení
N-kanál
Výkon
200 W
R(DS)(on)
23 mΩ
Datasheety: (PDF)
Počet
Celková cena (22,31 Kč / kus)
22,31 Kč
Bez DPH.
14denní lhůta pro vrácení zboží je zahrnuta v ceně
Hlavní benefity
MOSFET (HEXFET/FETKY)
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Typ
IRF3710SPBF
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
D2PAK
- Výrobce
Infineon Technologies
- Výrobce
INF
- Provedení
N-kanál
- I(d)
57 A
- UBR DSS
100 V
- Výkon
200 W
- R(DS)(on)
23 mΩ
- Referenční proud R(DS)(on)
28 A
- Referenční napětí R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) max. referenční proud
250 µA
- Q(G)
130 nC
- Referenční napětí Q(G)
10 V
- C(ISS)
3130 pF
- Referenční napětí C(ISS)
25 V
- Provozní teplota (min.)
-55 °C
- Způsob montáže
povrchová montáž
- Série
HEXFET®
- Provozní teplota (max.)
+175 °C
- Vlastnost tranzistoru
standardní
- U(DSS)
100 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
- Provedení
HEXFET
- Typ
IRF 3710 S
- Popis
100 V/46 A
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 162398 Infineon Technologies IRF3710SPBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 200 W D2PAK
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 162398 Infineon Technologies IRF3710SPBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 200 W D2PAK