Vishay SI4477DY-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 P-kanál 6.6 W SOIC-8 Tape on Full reel
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Druh obalu
Tape on Full reel
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
SOIC-8
Provedení
P-kanál
Výkon
6.6 W
Datasheety: (PDF)
Množství (Ks)
Sleva
Cena balení (Bez DPH.)
25
-
38,83 Kč
75
7% = 2,73 Kč
36,10 Kč
125
10% = 3,99 Kč
34,84 Kč
250
12% = 4,81 Kč
34,02 Kč
500
15% = 5,76 Kč
33,07 Kč
1000
18% = 6,80 Kč
32,03 Kč
2500
20% = 7,96 Kč
30,87 Kč
Množstevní slevy se liší podle prodejce
Ušetříte 0,00 Kč
Počet
Min.: 25
Násobky: 25
Tape on Full reel
Ks (Obsah: )
Ks (Obsah: )
Celková cena (38,83 Kč / kus)
970,75 Kč
Bez DPH.
Hlavní benefity
Výkonový Vishay SMD-MOSFET si_Y-GE3 SO
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Druh obalu
Tape on Full reel
- Typ
SI4477DY-T1-GE3
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
SOIC-8
- Výrobce
Vishay
- Provedení
P-kanál
- I(d)
-26.6 A
- UBR DSS
-20 V
- Výkon
6.6 W
- R(DS)(on)
0.0105 Ω
- Provozní teplota (min.)
-55 °C
- Způsob montáže
povrchová montáž
- Provozní teplota (max.)
150 °C
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
- V
0.00 mm
- Délka
0 mm
- Šířka
0.00 mm
- Hmotnost
0
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 3026545 Vishay SI4477DY-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 P-kanál 6.6 W SOIC-8 Tape on Full reel
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 3026545 Vishay SI4477DY-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 P-kanál 6.6 W SOIC-8 Tape on Full reel