Vishay SI4425DDY-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 P-kanál 5.7 W SOIC-8 Tape on Full reel
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Druh obalu
Tape on Full reel
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
SOIC-8
Provedení
P-kanál
Výkon
5.7 W
Datasheety: (PDF)
Množství (Ks)
Sleva
Cena balení (Bez DPH.)
50
-
18,49808 Kč
150
7% = 1,30 Kč
17,19397 Kč
250
10% = 1,90 Kč
16,59833 Kč
500
12% = 2,30 Kč
16,20247 Kč
1000
15% = 2,74 Kč
15,75482 Kč
Množstevní slevy se liší podle prodejce
Ušetříte 0,00 Kč
Počet
Min.: 50
Násobky: 50
Tape on Full reel
Ks (Obsah: )
Ks (Obsah: )
Celková cena (18,49808 Kč / kus)
924,90 Kč
Bez DPH.
Hlavní benefity
Výkonový Vishay SMD-MOSFET si_Y-GE3 SO
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Druh obalu
Tape on Full reel
- Typ
SI4425DDY-T1-GE3
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
SOIC-8
- Výrobce
Vishay
- Provedení
P-kanál
- I(d)
-19.7 A
- UBR DSS
-30 V
- Výkon
5.7 W
- R(DS)(on)
0.0165 Ω
- Provozní teplota (min.)
-55 °C
- Způsob montáže
povrchová montáž
- Provozní teplota (max.)
150 °C
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
- V
0.00 mm
- Délka
0 mm
- Šířka
0.00 mm
- Hmotnost
0
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 3026481 Vishay SI4425DDY-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 P-kanál 5.7 W SOIC-8 Tape on Full reel
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 3026481 Vishay SI4425DDY-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 P-kanál 5.7 W SOIC-8 Tape on Full reel