Ilustrační obrázek
Ilustrační obrázek
Infineon Technologies IRFP064NPBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 200 W TO-247
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
TO-247
Provedení
N-kanál
Výkon
200 W
R(DS)(on)
8 mΩ
Datasheety: (PDF)
Množství (Ks)
Sleva
Cena balení (Bez DPH.)
1
-
59,50 Kč
10
7% = 4,45 Kč
55,05 Kč
25
10% = 6,24 Kč
53,26 Kč
50
12% = 7,43 Kč
52,07 Kč
100
15% = 8,76 Kč
50,74 Kč
250
17% = 10,24 Kč
49,26 Kč
500
21% = 12,21 Kč
47,29 Kč
Množstevní slevy se liší podle prodejce
Ušetříte 0,00 Kč
Počet
Celková cena (59,50 Kč / kus)
59,50 Kč
Bez DPH.
Hlavní benefity
MOSFET (HEXFET/FETKY)
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Typ
IRFP064NPBF
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
TO-247
- Výrobce
Infineon Technologies
- Výrobce
INF
- Provedení
N-kanál
- I(d)
110 A
- UBR DSS
55 V
- Výkon
200 W
- R(DS)(on)
8 mΩ
- Referenční proud R(DS)(on)
59 A
- Referenční napětí R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) max. referenční proud
250 µA
- Q(G)
170 nC
- Referenční napětí Q(G)
10 V
- C(ISS)
4000 pF
- Referenční napětí C(ISS)
25 V
- Provozní teplota (min.)
-55 °C
- Způsob montáže
průchozí otvor
- Série
HEXFET®
- Provozní teplota (max.)
+175 °C
- Vlastnost tranzistoru
standardní
- U(DSS)
55 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
- Provedení
HEXFET
- Typ
IRFP 064 N
- Popis
55 V/72 A
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 162637 Infineon Technologies IRFP064NPBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 200 W TO-247
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 162637 Infineon Technologies IRFP064NPBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 200 W TO-247
Popis
Tranzistor MOSFET je stavební součástka řízená napětím, kterou lze připojit přímo na vysokoohmové zdroje. Je proto vhodná pro použití jako vypínač nebo analogový zesilovač. Tento tranzistor je kompatibilní s µC, TTL a CMOS. Poznámka: Výrobce SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.