
Ilustrační obrázek
Ilustrační obrázek
IRFP250NPBF
tranzistor MOSFET
TO-247
Infineon Technologies
INF
N-kanál
30 A
200 V
214 W
75 mΩ
18 A
10 V
4 V
250 µA
123 nC
10 V
2159 pF
25 V
-55 °C
průchozí otvor
HEXFET®
+175 °C
standardní
200 V
1
1 ks
HEXFET
IRFP 250 N
200 V/30 A
List technických údajů 162642 Infineon Technologies IRFP250NPBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 214 W TO-247
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 162642 Infineon Technologies IRFP250NPBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 214 W TO-247