
Ilustrační obrázek
IRF8010PBF
tranzistor MOSFET
TO-220AB
Infineon Technologies
INF
N-kanál
80 A
100 V
260 W
15 mΩ
45 A
10 V
4 V
250 µA
120 nC
10 V
3830 pF
25 V
-55 °C
průchozí otvor
HEXFET®
+175 °C
standardní
100 V
1
1 ks
List technických údajů 564010 Infineon Technologies IRF8010PBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 260 W TO-220AB
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 564010 Infineon Technologies IRF8010PBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 260 W TO-220AB
K použití tohoto produktu je zapotřebí toto příslušenství.