Ilustrační obrázek
Ilustrační obrázek
Infineon Technologies IRF5305PBF tranzistor MOSFET 1 P-kanál 110 W TO-220AB
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
TO-220AB
Provedení
P-kanál
Výkon
110 W
R(DS)(on)
60 mΩ
Datasheety: (PDF)
Množství (Ks)
Sleva
Cena balení (Bez DPH.)
1
-
38,83 Kč
10
7% = 2,73 Kč
36,10 Kč
25
10% = 3,99 Kč
34,84 Kč
50
12% = 4,81 Kč
34,02 Kč
100
15% = 5,76 Kč
33,07 Kč
500
18% = 6,80 Kč
32,03 Kč
1000
20% = 7,96 Kč
30,87 Kč
Množstevní slevy se liší podle prodejce
Ušetříte 0,00 Kč
Počet
Celková cena (38,83 Kč / kus)
38,83 Kč
Bez DPH.
Hlavní benefity
MOSFET
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Typ
IRF5305PBF
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
TO-220AB
- Výrobce
Infineon Technologies
- Výrobce
INF
- Provedení
P-kanál
- I(d)
31 A
- UBR DSS
55 V
- Výkon
110 W
- R(DS)(on)
60 mΩ
- Referenční proud R(DS)(on)
16 A
- Referenční napětí R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) max. referenční proud
250 µA
- Q(G)
63 nC
- Referenční napětí Q(G)
10 V
- C(ISS)
1200 pF
- Referenční napětí C(ISS)
25 V
- Provozní teplota (min.)
-55 °C
- Způsob montáže
průchozí otvor
- Série
HEXFET®
- Provozní teplota (max.)
+175 °C
- Vlastnost tranzistoru
standardní
- U(DSS)
55 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 563967 Infineon Technologies IRF5305PBF tranzistor MOSFET 1 P-kanál 110 W TO-220AB
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 563967 Infineon Technologies IRF5305PBF tranzistor MOSFET 1 P-kanál 110 W TO-220AB