Ilustrační obrázek
Ilustrační obrázek
Infineon Technologies IRF1104PBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 170 W TO-220AB
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
TO-220AB
Provedení
N-kanál
Výkon
170 W
R(DS)(on)
9 mΩ
Datasheety: (PDF)
Počet
Celková cena (23,13 Kč / kus)
23,13 Kč
Bez DPH.
14denní lhůta pro vrácení zboží je zahrnuta v ceně
Hlavní benefity
MOSFET
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Typ
IRF1104PBF
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
TO-220AB
- Výrobce
Infineon Technologies
- Výrobce
INF
- Provedení
N-kanál
- I(d)
100 A
- UBR DSS
40 V
- Výkon
170 W
- R(DS)(on)
9 mΩ
- Referenční proud R(DS)(on)
60 A
- Referenční napětí R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) max. referenční proud
250 µA
- Q(G)
93 nC
- Referenční napětí Q(G)
10 V
- C(ISS)
2900 pF
- Referenční napětí C(ISS)
25 V
- Provozní teplota (min.)
-55 °C
- Způsob montáže
průchozí otvor
- Série
HEXFET®
- Provozní teplota (max.)
+175 °C
- Vlastnost tranzistoru
standardní
- U(DSS)
40 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 563940 Infineon Technologies IRF1104PBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 170 W TO-220AB
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 563940 Infineon Technologies IRF1104PBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 170 W TO-220AB