
Ilustrační obrázek
Ilustrační obrázek
IRLML6401TRPBF
tranzistor MOSFET
SOT-23
Infineon Technologies
INF
P-kanál
4.3 A
12 V
1.3 W
50 mΩ
4.3 A
4.5 V
0.95 V
250 µA
15 nC
5 V
830 pF
10 V
-55 °C
povrchová montáž
HEXFET®
+150 °C
hradlo s logickou úrovní
12 V
1
1 ks
IRLML 6401 TR
-12 V/-4,3 A
List technických údajů 162832 Infineon Technologies IRLML6401TRPBF tranzistor MOSFET 1 P-kanál 1.3 W SOT-23
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 162832 Infineon Technologies IRLML6401TRPBF tranzistor MOSFET 1 P-kanál 1.3 W SOT-23