Ilustrační obrázek
Ilustrační obrázek
Infineon Technologies IRFB7530PBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 375 W TO-220AB
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
TO-220AB
Provedení
N-kanál
Výkon
375 W
R(DS)(on)
2 mΩ
Datasheety: (PDF)
Množství (Ks)
Sleva
Cena balení (Bez DPH.)
10
-
71,07 Kč
30
7% = 5,32 Kč
65,75 Kč
50
10% = 7,45 Kč
63,62 Kč
100
12% = 8,86 Kč
62,21 Kč
Množstevní slevy se liší podle prodejce
Ušetříte 0,00 Kč
Počet
Min.: 10
Celková cena (71,07 Kč / kus)
710,70 Kč
Bez DPH.
Hlavní benefity
MOSFET
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Typ
IRFB7530PBF
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
TO-220AB
- Výrobce
Infineon Technologies
- Výrobce
INF
- Provedení
N-kanál
- I(d)
195 A
- UBR DSS
60 V
- Výkon
375 W
- R(DS)(on)
2 mΩ
- Referenční proud R(DS)(on)
100 A
- Referenční napětí R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
3.7 V
- U(GS)(th) max. referenční proud
250 µA
- Q(G)
411 nC
- Referenční napětí Q(G)
10 V
- C(ISS)
13703 pF
- Referenční napětí C(ISS)
25 V
- Provozní teplota (min.)
-55 °C
- Způsob montáže
průchozí otvor
- Série
HEXFET®
StrongIRFET™
- Provozní teplota (max.)
+175 °C
- Vlastnost tranzistoru
standardní
- U(DSS)
60 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 564040 Infineon Technologies IRFB7530PBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 375 W TO-220AB
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 564040 Infineon Technologies IRFB7530PBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 375 W TO-220AB