
Ilustrační obrázek
BSP135H6327
tranzistor MOSFET
TO-261-4
Infineon Technologies
INF
N-kanál
120 mA
600 V
1.8 W
45 Ω
120 mA
10 V
1 V
94 µA
4.9 nC
5 V
146 pF
25 V
-55 °C
povrchová montáž
SIPMOS®
+150 °C
ochuzovací režim
600 V
1
1 ks
BSP 135
List technických údajů 153163 Infineon Technologies BSP135H6327 tranzistor MOSFET 1 N-kanál 1.8 W TO-261-4
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 153163 Infineon Technologies BSP135H6327 tranzistor MOSFET 1 N-kanál 1.8 W TO-261-4
130,49 Kč*
K použití tohoto produktu je zapotřebí toto příslušenství.