Ilustrační obrázek
Ilustrační obrázek
Vishay SI2303CDS-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 P-kanál 2.3 W SOT-23-3
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
SOT-23-3
Provedení
P-kanál
Výkon
2.3 W
R(DS)(on)
190 mΩ
Datasheety: (PDF)
Množství (Ks)
Sleva
Cena balení (Bez DPH.)
1
-
16,52 Kč
10
7% = 1,16 Kč
15,36 Kč
25
10% = 1,69 Kč
14,83 Kč
50
12% = 2,05 Kč
14,47 Kč
100
15% = 2,45 Kč
14,07 Kč
500
17% = 2,89 Kč
13,63 Kč
1000
21% = 3,39 Kč
13,13 Kč
Množstevní slevy se liší podle prodejce
Ušetříte 0,00 Kč
Počet
Celková cena (16,52 Kč / kus)
16,52 Kč
Bez DPH.
Hlavní benefity
MOSFET
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Typ
SI2303CDS-T1-GE3
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
SOT-23-3
- Výrobce
Vishay
- Výrobce
VIS
- Provedení
P-kanál
- I(d)
2.7 A
- UBR DSS
30 V
- Výkon
2.3 W
- R(DS)(on)
190 mΩ
- Referenční proud R(DS)(on)
1.9 A
- Referenční napětí R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
3 V
- U(GS)(th) max. referenční proud
250 µA
- Q(G)
8 nC
- Referenční napětí Q(G)
10 V
- C(ISS)
155 pF
- Referenční napětí C(ISS)
15 V
- Provozní teplota (min.)
-55 °C
- Způsob montáže
povrchová montáž
- Série
TrenchFET®
- Provozní teplota (max.)
+150 °C
- Vlastnost tranzistoru
standardní
- U(DSS)
30 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 597295 Vishay SI2303CDS-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 P-kanál 2.3 W SOT-23-3
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 597295 Vishay SI2303CDS-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 P-kanál 2.3 W SOT-23-3