Infineon Technologies IRL2910SPBF-GURT tranzistor MOSFET 1 N-kanál 200 W D2PAK
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
D2PAK
Provedení
N-kanál
Výkon
200 W
R(DS)(on)
0.04 Ω
Datasheety: (PDF)
Množství (Ks)
Sleva
Cena balení (Bez DPH.)
10
-
42,97 Kč
30
7% = 3,04 Kč
39,93 Kč
50
10% = 4,42 Kč
38,55 Kč
100
12% = 5,33 Kč
37,64 Kč
200
15% = 6,37 Kč
36,60 Kč
400
18% = 7,52 Kč
35,45 Kč
Množstevní slevy se liší podle prodejce
Ušetříte 0,00 Kč
Počet
Min.: 10
Násobky: 10
Celková cena (42,97 Kč / kus)
429,70 Kč
Bez DPH.
Hlavní benefity
Výkonový SMD MOSFET
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Typ
IRL2910SPBF-GURT
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
D2PAK
- Výrobce
Infineon Technologies
- Provedení
N-kanál
- I(d)
55 A
- UBR DSS
100 V
- Výkon
200 W
- R(DS)(on)
0.04 Ω
- Způsob montáže
povrchová montáž
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 3026424 Infineon Technologies IRL2910SPBF-GURT tranzistor MOSFET 1 N-kanál 200 W D2PAK
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 3026424 Infineon Technologies IRL2910SPBF-GURT tranzistor MOSFET 1 N-kanál 200 W D2PAK