Infineon Technologies IRF7306PBF-GURT tranzistor MOSFET 2 P-kanál 2.0 W SO-8
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
SO-8
Provedení
P-kanál
Výkon
2.0 W
R(DS)(on)
0.16 Ω
Datasheety: (PDF)
Množství (Ks)
Sleva
Cena balení (Bez DPH.)
3
-
25,60884 Kč
9
7% = 1,81 Kč
23,80342 Kč
15
10% = 2,63 Kč
22,97882 Kč
30
12% = 3,18 Kč
22,43079 Kč
60
15% = 3,80 Kč
21,81105 Kč
120
18% = 4,48 Kč
21,12474 Kč
300
21% = 5,25 Kč
20,35391 Kč
Množstevní slevy se liší podle prodejce
Ušetříte 0,00 Kč
Počet
Min.: 3
Celková cena (25,60884 Kč / kus)
76,83 Kč
Bez DPH.
Hlavní benefity
Výkonový SMD MOSFET
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Typ
IRF7306PBF-GURT
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
SO-8
- Výrobce
Infineon Technologies
- Provedení
P-kanál
- Výkon
2.0 W
- R(DS)(on)
0.16 Ω
- Způsob montáže
povrchová montáž
- Kanály
2
- Obsah
1 ks
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 3026238 Infineon Technologies IRF7306PBF-GURT tranzistor MOSFET 2 P-kanál 2.0 W SO-8