Infineon Technologies IRF5210SPBF-GURT tranzistor MOSFET 1 P-kanál 170 W D2PAK
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
D2PAK
Provedení
P-kanál
Výkon
170 W
R(DS)(on)
0.06 Ω
Datasheety: (PDF)
Množství (Ks)
Sleva
Cena balení (Bez DPH.)
10
-
64,45 Kč
30
7% = 4,81 Kč
59,64 Kč
50
10% = 6,75 Kč
57,70 Kč
100
12% = 8,04 Kč
56,41 Kč
200
15% = 9,47 Kč
54,98 Kč
400
17% = 11,09 Kč
53,36 Kč
1000
21% = 13,22 Kč
51,23 Kč
Množstevní slevy se liší podle prodejce
Ušetříte 0,00 Kč
Počet
Min.: 10
Celková cena (64,45 Kč / kus)
644,50 Kč
Bez DPH.
Už jen 10 Ks skladem!
Hlavní benefity
Výkonový SMD MOSFET
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Typ
IRF5210SPBF-GURT
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
D2PAK
- Výrobce
Infineon Technologies
- Provedení
P-kanál
- I(d)
-38 A
- UBR DSS
-100 V
- Výkon
170 W
- R(DS)(on)
0.06 Ω
- Způsob montáže
povrchová montáž
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 3026228 Infineon Technologies IRF5210SPBF-GURT tranzistor MOSFET 1 P-kanál 170 W D2PAK
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 3026228 Infineon Technologies IRF5210SPBF-GURT tranzistor MOSFET 1 P-kanál 170 W D2PAK