
Ilustrační obrázek
IRF3710Z
tranzistor MOSFET
TO-263-3
Infineon Technologies
INF
N-kanál
59 A
100 V
160 W
18 mΩ
35 A
10 V
4 V
250 µA
120 nC
10 V
2900 pF
25 V
-55 °C
povrchová montáž
HEXFET®
+175 °C
standardní
100 V
1
1 ks
HEXFET Power MOSFET
IRF 3710 Z
100 V/59 A
List technických údajů 164339 Infineon Technologies IRF3710Z tranzistor MOSFET 1 N-kanál 160 W TO-263-3
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 164339 Infineon Technologies IRF3710Z tranzistor MOSFET 1 N-kanál 160 W TO-263-3
245,37 Kč*
K použití tohoto produktu je zapotřebí toto příslušenství.