
Ilustrační obrázek
IRF1010E
tranzistor MOSFET
TO-220
Infineon Technologies
INF
N-kanál
84 A
60 V
200 W
12 mΩ
50 A
10 V
4 V
250 µA
130 nC
10 V
3210 pF
25 V
-55 °C
průchozí otvor
HEXFET®
+175 °C
standardní
60 V
1
1 ks
HEXFET
IRF 1010 E
60 V/81 A
List technických údajů 162358 Infineon Technologies IRF1010E tranzistor MOSFET 1 N-kanál 200 W TO-220
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 162358 Infineon Technologies IRF1010E tranzistor MOSFET 1 N-kanál 200 W TO-220
303,20 Kč*
K použití tohoto produktu je zapotřebí toto příslušenství.