Infineon Technologies IRFR5410PBF-GURT tranzistor MOSFET 1 P-kanál 66 W TO-252AA
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
TO-252AA
Provedení
P-kanál
Výkon
66 W
R(DS)(on)
0.205 Ω
Datasheety: (PDF)
Množství (Ks)
Sleva
Cena balení (Bez DPH.)
50
-
22,41018 Kč
150
7% = 1,58 Kč
20,83026 Kč
250
10% = 2,30 Kč
20,10865 Kč
500
12% = 2,78 Kč
19,62907 Kč
1000
15% = 3,32 Kč
19,08675 Kč
Množstevní slevy se liší podle prodejce
Ušetříte 0,00 Kč
Počet
Min.: 50
Násobky: 50
Celková cena (22,41018 Kč / kus)
1 120,51 Kč
Bez DPH.
Hlavní benefity
Výkonový SMD MOSFET
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Typ
IRFR5410PBF-GURT
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
TO-252AA
- Výrobce
Infineon Technologies
- Provedení
P-kanál
- I(d)
-13 A
- UBR DSS
-100 V
- Výkon
66 W
- R(DS)(on)
0.205 Ω
- Způsob montáže
průchozí otvor
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 3026279 Infineon Technologies IRFR5410PBF-GURT tranzistor MOSFET 1 P-kanál 66 W TO-252AA
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 3026279 Infineon Technologies IRFR5410PBF-GURT tranzistor MOSFET 1 P-kanál 66 W TO-252AA