Infineon Technologies IRF9530NSPBF-GURT tranzistor MOSFET 1 P-kanál 79 W D2PAK
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
D2PAK
Provedení
P-kanál
Výkon
79 W
R(DS)(on)
0.2 Ω
Datasheety: (PDF)
Množství (Ks)
Sleva
Cena balení (Bez DPH.)
1
-
38,83 Kč
10
7% = 2,73 Kč
36,10 Kč
25
10% = 3,99 Kč
34,84 Kč
50
12% = 4,81 Kč
34,02 Kč
100
15% = 5,76 Kč
33,07 Kč
500
18% = 6,80 Kč
32,03 Kč
1000
20% = 7,96 Kč
30,87 Kč
Množstevní slevy se liší podle prodejce
Ušetříte 0,00 Kč
Počet
Celková cena (38,83 Kč / kus)
38,83 Kč
Bez DPH.
Hlavní benefity
Výkonový SMD MOSFET
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Typ
IRF9530NSPBF-GURT
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
D2PAK
- Výrobce
Infineon Technologies
- Provedení
P-kanál
- I(d)
-14 A
- UBR DSS
-100 V
- Výkon
79 W
- R(DS)(on)
0.2 Ω
- Způsob montáže
povrchová montáž
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 3026260 Infineon Technologies IRF9530NSPBF-GURT tranzistor MOSFET 1 P-kanál 79 W D2PAK
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 3026260 Infineon Technologies IRF9530NSPBF-GURT tranzistor MOSFET 1 P-kanál 79 W D2PAK