• Platform for Everything Technical
  • Rychlé doručení
  • Garantované vrácení zboží
  • Odborný prodejce již od roku 1923

Vishay SI2308BDS-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 N-kanál 1.66 W SOT-23-3

Ilustrační obrázek
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
SOT-23-3
Provedení
N-kanál
Výkon
1.66 W
R(DS)(on)
156 mΩ
Datasheety: (PDF)
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Není k dispozici

Prodej a doprava:
Conrad ElectronicObchodní podmínky

Celková cena (15,99 Kč / kus)
15,99 Kč
Doručení zboží v rámci jiných zemí EU (0% DPH) Včetně DPH. 
Plus 120,00 Kč 
prav.priceAvailability.ecoparticipation.cost ...
prav.priceAvailability.privatecopyingfee.cost ...
Bez dodatečných nákladů na dopravu 
Ověřený prodejce s technickou podporou

Hlavní benefity

tranzistor MOSFET

Dodatečné informace:

Technické parametry

Typ

SI2308BDS-T1-GE3

Kategorie produktu

tranzistor MOSFET

Typ pouzdra

SOT-23-3

Výrobce

Vishay

Výrobce

VIS

Provedení

N-kanál

I(d)

2.3 A

UBR DSS

60 V

Výkon

1.66 W

R(DS)(on)

156 mΩ

Referenční proud R(DS)(on)

1.9 A

Referenční napětí R(DS)(on)

10 V

U(GS)(th) max.

3 V

U(GS)(th) max. referenční proud

250 µA

Q(G)

6.8 nC

Referenční napětí Q(G)

10 V

C(ISS)

190 pF

Referenční napětí C(ISS)

30 V

Provozní teplota (min.)

-55 °C

Způsob montáže

povrchová montáž

Série

TrenchFET®

Provozní teplota (max.)

+150 °C

Vlastnost tranzistoru

standardní

U(DSS)

60 V

Kanály

1

Obsah

1 ks

Ke stažení

List technických údajů

List technických údajů 597300 Vishay SI2308BDS-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 N-kanál 1.66 W SOT-23-3

Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny

Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 597300 Vishay SI2308BDS-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 N-kanál 1.66 W SOT-23-3

Tranzistory MOSFET - co přesně hledáte?

Doplňky

(*Všechny ceny jsou bez DPH.)

K použití tohoto produktu je zapotřebí toto příslušenství.

Další zajímavé produkty

(*Všechny ceny jsou bez DPH.)