
Ilustrační obrázek
SI2308BDS-T1-GE3
tranzistor MOSFET
SOT-23-3
Vishay
VIS
N-kanál
2.3 A
60 V
1.66 W
156 mΩ
1.9 A
10 V
3 V
250 µA
6.8 nC
10 V
190 pF
30 V
-55 °C
povrchová montáž
TrenchFET®
+150 °C
standardní
60 V
1
1 ks
List technických údajů 597300 Vishay SI2308BDS-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 N-kanál 1.66 W SOT-23-3
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 597300 Vishay SI2308BDS-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 N-kanál 1.66 W SOT-23-3
K použití tohoto produktu je zapotřebí toto příslušenství.