Ilustrační obrázek
Ilustrační obrázek
ON Semiconductor RF tranzistor (BJT) MMBTH81 TO-236-3 Kanálů 1 PNP
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Kategorie produktu
RF tranzistor (BJT)
Typ pouzdra
TO-236-3
Provedení
PNP
Kolektorový proud (C)
50 mA
Napětí kolektor- emitor U (CEO)
20 V
Množství (Ks)
Sleva
Cena balení (Bez DPH.)
100
-
3,30 Kč
300
6% = 0,20 Kč
3,10 Kč
500
13% = 0,42 Kč
2,88 Kč
1000
15% = 0,51 Kč
2,79 Kč
2000
18% = 0,59 Kč
2,71 Kč
Množstevní slevy se liší podle prodejce
Ušetříte 0,00 Kč
Počet
Min.: 100
Násobky: 100
Celková cena (3,30 Kč / kus)
330,00 Kč
Bez DPH.
Hlavní benefity
RF tranzistor (BJT)
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Typ
MMBTH81
- Kategorie produktu
RF tranzistor (BJT)
- Typ pouzdra
TO-236-3
- Výrobce
ON Semiconductor
- Výrobce
OnS
- Kanály
1
- Provedení
PNP
- Kolektorový proud (C)
50 mA
- Napětí kolektor- emitor U (CEO)
20 V
- Saturace VCE (max.)
500 mV
- Výkon
225 mW
- Stejnosměrný proud - zisk (hFE)
60
- Referenční proud DC hFE
5 mA
- DC hFE - referenční napětí
10 V
- Přenosová frekvence (f)
600 MHz
- Způsob montáže
povrchová montáž
- Obsah
1 ks
