Vishay SI4559ADY-T1-GE3 tranzistor MOSFET 2 N-kanál, P-kanál 2.0 W SOIC-8 Tape on Full reel
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Druh obalu
Tape on Full reel
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
SOIC-8
Provedení
N-kanál
P-kanál
Výkon
2.0 W
Datasheety: (PDF)
Množství (Ks)
Sleva
Cena balení (Bez DPH.)
3
-
17,56567 Kč
9
7% = 1,24 Kč
16,32729 Kč
15
10% = 1,80 Kč
15,76168 Kč
30
12% = 2,18 Kč
15,38577 Kč
60
15% = 2,60 Kč
14,96068 Kč
120
18% = 3,08 Kč
14,48992 Kč
300
21% = 3,60 Kč
13,96119 Kč
Množstevní slevy se liší podle prodejce
Ušetříte 0,00 Kč
Počet
Min.: 3
Tape on Full reel
Ks (Obsah: )
Ks (Obsah: )
Celková cena (17,56567 Kč / kus)
52,70 Kč
Bez DPH.
Hlavní benefity
Výkonový Vishay SMD-MOSFET si_Y-GE3 SO
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Druh obalu
Tape on Full reel
- Typ
SI4559ADY-T1-GE3
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
SOIC-8
- Výrobce
Vishay
- Provedení
N-kanál
P-kanál
- I(d)
5.3 A
- UBR DSS
60 V
- Výkon
2.0 W
- R(DS)(on)
0.15 Ω
- Provozní teplota (min.)
-55 °C
- Způsob montáže
povrchová montáž
- Provozní teplota (max.)
150 °C
- Kanály
2
- Obsah
1 ks
- V
0.00 mm
- Délka
0 mm
- Šířka
0.00 mm
- Hmotnost
0
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 3026482 Vishay SI4559ADY-T1-GE3 tranzistor MOSFET 2 N-kanál, P-kanál 2.0 W SOIC-8 Tape on Full reel
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 3026482 Vishay SI4559ADY-T1-GE3 tranzistor MOSFET 2 N-kanál, P-kanál 2.0 W SOIC-8 Tape on Full reel