Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT tranzistor MOSFET 2 N-kanál, P-kanál 2.0 W SO-8
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
SO-8
Provedení
N-kanál
P-kanál
Výkon
2.0 W
R(DS)(on)
0.17 Ω
Datasheety: (PDF)
Množství (Ks)
Sleva
Cena balení (Bez DPH.)
3
-
12,28094 Kč
9
6% = 0,75 Kč
11,53058 Kč
15
13% = 1,57 Kč
10,71512 Kč
30
15% = 1,86 Kč
10,41669 Kč
60
18% = 2,20 Kč
10,08142 Kč
Množstevní slevy se liší podle prodejce
Ušetříte 0,00 Kč
Počet
Min.: 3
Celková cena (12,28094 Kč / kus)
36,84 Kč
Bez DPH.
Už jen 7 Ks skladem!
Hlavní benefity
tranzistor MOSFET
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Typ
IRF7343PBF-GURT
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
SO-8
- Výrobce
Infineon Technologies
- Provedení
N-kanál
P-kanál
- I(d)
4.7 A
- UBR DSS
55 V
- Výkon
2.0 W
- R(DS)(on)
0.17 Ω
- Způsob montáže
povrchová montáž
- Kanály
2
- Obsah
1 ks
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 3026247 Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT tranzistor MOSFET 2 N-kanál, P-kanál 2.0 W SO-8
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 3026247 Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT tranzistor MOSFET 2 N-kanál, P-kanál 2.0 W SO-8