Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT tranzistor MOSFET 2 N-kanál, P-kanál 2.0 W SO-8
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
SO-8
Provedení
N-kanál
P-kanál
Výkon
2.0 W
R(DS)(on)
0.4 Ω
Datasheety: (PDF)
Množství (Ks)
Sleva
Cena balení (Bez DPH.)
50
-
11,80827 Kč
150
6% = 0,72 Kč
11,08679 Kč
250
13% = 1,51 Kč
10,30272 Kč
500
15% = 1,79 Kč
10,01578 Kč
1000
18% = 2,11 Kč
9,69341 Kč
Množstevní slevy se liší podle prodejce
Ušetříte 0,00 Kč
Počet
Min.: 50
Násobky: 50
Celková cena (11,80827 Kč / kus)
590,41 Kč
Bez DPH.
Hlavní benefity
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Typ
IRF7105PBF-GURT
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
SO-8
- Výrobce
Infineon Technologies
- Provedení
N-kanál
P-kanál
- I(d)
3.5 A
- UBR DSS
25 V
- Výkon
2.0 W
- R(DS)(on)
0.4 Ω
- Způsob montáže
povrchová montáž
- Kanály
2
- Obsah
1 ks
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 3026354 Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT tranzistor MOSFET 2 N-kanál, P-kanál 2.0 W SO-8
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 3026354 Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT tranzistor MOSFET 2 N-kanál, P-kanál 2.0 W SO-8