Vishay SI4431CDY-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 P-kanál 4.2 W SOIC-8 Tape on Full reel
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Druh obalu
Tape on Full reel
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
SOIC-8
Provedení
P-kanál
Výkon
4.2 W
Datasheety: (PDF)
Množství (Ks)
Sleva
Cena balení (Bez DPH.)
50
-
14,17718 Kč
150
7% = 1,00 Kč
13,17769 Kč
250
10% = 1,46 Kč
12,72118 Kč
500
12% = 1,76 Kč
12,41779 Kč
1000
15% = 2,10 Kč
12,07470 Kč
Množstevní slevy se liší podle prodejce
Ušetříte 0,00 Kč
Počet
Min.: 50
Násobky: 50
Tape on Full reel
Ks (Obsah: )
Ks (Obsah: )
Celková cena (14,17718 Kč / kus)
708,86 Kč
Bez DPH.
Hlavní benefity
Výkonový Vishay SMD-MOSFET si_Y-GE3 SO
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Druh obalu
Tape on Full reel
- Typ
SI4431CDY-T1-GE3
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
SOIC-8
- Výrobce
Vishay
- Provedení
P-kanál
- I(d)
-9 A
- UBR DSS
-30 V
- Výkon
4.2 W
- R(DS)(on)
0.049 Ω
- Provozní teplota (min.)
-55 °C
- Způsob montáže
povrchová montáž
- Provozní teplota (max.)
150 °C
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
- V
0.00 mm
- Délka
0 mm
- Šířka
0.00 mm
- Hmotnost
0
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 3026541 Vishay SI4431CDY-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 P-kanál 4.2 W SOIC-8 Tape on Full reel
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 3026541 Vishay SI4431CDY-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 P-kanál 4.2 W SOIC-8 Tape on Full reel