Ilustrační obrázek
Vishay IRFD110PBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 1.3 W DIP-4
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
DIP-4
Provedení
N-kanál
Výkon
1.3 W
R(DS)(on)
540 mΩ
Datasheety: (PDF)
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Celková cena (14,99 Kč / kus)
16,99 Kč
-12 %
14,99 Kč
Včetně DPH.
Ověřený prodejce s technickou podporou
Hlavní benefity
MOSFET (HEXFET)
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Typ
IRFD110PBF
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
DIP-4
- Výrobce
Vishay
- Výrobce
VIS
- Provedení
N-kanál
- I(d)
1 A
- UBR DSS
100 V
- Výkon
1.3 W
- R(DS)(on)
540 mΩ
- Referenční proud R(DS)(on)
600 mA
- Referenční napětí R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) max. referenční proud
250 µA
- Q(G)
8.3 nC
- Referenční napětí Q(G)
10 V
- C(ISS)
180 pF
- Referenční napětí C(ISS)
25 V
- Provozní teplota (min.)
-55 °C
- Způsob montáže
průchozí otvor
- Provozní teplota (max.)
+175 °C
- Vlastnost tranzistoru
standardní
- U(DSS)
100 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
- Typ
IRFD 110
- Popis
100 V/1,3 A
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 162582 Vishay IRFD110PBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 1.3 W DIP-4
List technických údajů 162582 Vishay IRFD110PBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 1.3 W DIP-4
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 162582 Vishay IRFD110PBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 1.3 W DIP-4
Tranzistory MOSFET - co přesně hledáte?
Doplňky
(*Všechny ceny jsou bez DPH.)K použití tohoto produktu je zapotřebí toto příslušenství.
Conrad Electronic
15,99 Kč*
169,99 Kč*
1 kg = 84 995,00 Kč