
Ilustrační obrázek
Ilustrační obrázek

Tape cut
BZV55C3V9 L1
dioda Z
Taiwan Semiconductor
TSC
3.9 V
+5 %
-5 %
500 mW
85 Ω
5 mA
-65 °C
+200 °C
jednoduchá dioda
2 µA
4.1 V
3.7 V
LL-34
povrchová montáž
List technických údajů 160588 Taiwan Semiconductor dioda Z BZV55C3V9 L1 Typ pouzdra (polovodiče) LL-34 Zenerovo napětí 3.9 V Výkon Pmax 500 mW Tape cu