
Ilustrační obrázek
Ilustrační obrázek
FDS8858CZ
tranzistor MOSFET
SOIC-8
ON Semiconductor
OnS
N-kanál
P-kanál
8.6 A
7.3 A
30 V
900 mW
17 mΩ
8.6 A
10 V
3 V
250 µA
24 nC
10 V
1205 pF
15 V
-55 °C
povrchová montáž
PowerTrench®
+150 °C
hradlo s logickou úrovní
30 V
1
1 ks
FDS8858CZ
SOIC-8
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 1263964 ON Semiconductor FDS8858CZ tranzistor MOSFET 1 N-kanál, P-kanál 900 mW SOIC-8