Infineon Technologies IRLL2705PBF-GURT tranzistor MOSFET 1 N-kanál 2.1 W SOT-223
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
SOT-223
Provedení
N-kanál
Výkon
2.1 W
R(DS)(on)
0.065 Ω
Datasheety: (PDF)
Množství (Ks)
Sleva
Cena balení (Bez DPH.)
3
-
19,83650 Kč
9
7% = 1,40 Kč
18,43802 Kč
15
10% = 2,04 Kč
17,79929 Kč
30
12% = 2,46 Kč
17,37479 Kč
60
15% = 2,94 Kč
16,89474 Kč
120
18% = 3,47 Kč
16,36312 Kč
300
21% = 4,07 Kč
15,76605 Kč
Množstevní slevy se liší podle prodejce
Ušetříte 0,00 Kč
Počet
Min.: 3
Celková cena (19,8365 Kč / kus)
59,51 Kč
Bez DPH.
14denní lhůta pro vrácení zboží je zahrnuta v ceně
Hlavní benefity
Výkonový SMD MOSFET
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Typ
IRLL2705PBF-GURT
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
SOT-223
- Výrobce
Infineon Technologies
- Provedení
N-kanál
- I(d)
3.8 A
- UBR DSS
55 V
- Výkon
2.1 W
- R(DS)(on)
0.065 Ω
- Způsob montáže
povrchová montáž
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
- UKCA
Ano
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 3026298 Infineon Technologies IRLL2705PBF-GURT tranzistor MOSFET 1 N-kanál 2.1 W SOT-223
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 3026298 Infineon Technologies IRLL2705PBF-GURT tranzistor MOSFET 1 N-kanál 2.1 W SOT-223