Infineon Technologies IRFR3410PBF-GURT tranzistor MOSFET 1 N-kanál 110 W TO-252AA
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
TO-252AA
Provedení
N-kanál
Výkon
110 W
R(DS)(on)
0.039 Ω
Datasheety: (PDF)
Množství (Ks)
Sleva
Cena balení (Bez DPH.)
3
-
16,52 Kč
9
7% = 1,16 Kč
15,36 Kč
15
10% = 1,69 Kč
14,83 Kč
30
12% = 2,05 Kč
14,47 Kč
60
15% = 2,45 Kč
14,07 Kč
120
17% = 2,89 Kč
13,63 Kč
300
21% = 3,39 Kč
13,13 Kč
Množstevní slevy se liší podle prodejce
Ušetříte 0,00 Kč
Počet
Min.: 3
Celková cena (16,52 Kč / kus)
49,56 Kč
Bez DPH.
Hlavní benefity
Výkonový SMD MOSFET
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Typ
IRFR3410PBF-GURT
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
TO-252AA
- Výrobce
Infineon Technologies
- Provedení
N-kanál
- I(d)
31 A
- UBR DSS
100 V
- Výkon
110 W
- R(DS)(on)
0.039 Ω
- Způsob montáže
průchozí otvor
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 3026271 Infineon Technologies IRFR3410PBF-GURT tranzistor MOSFET 1 N-kanál 110 W TO-252AA
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 3026271 Infineon Technologies IRFR3410PBF-GURT tranzistor MOSFET 1 N-kanál 110 W TO-252AA