Ilustrační obrázek
Ilustrační obrázek
Infineon Technologies IRFB4610PBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 190 W TO-220AB
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
TO-220AB
Provedení
N-kanál
Výkon
190 W
R(DS)(on)
14 mΩ
Datasheety: (PDF)
Počet
Celková cena (20,65 Kč / kus)
20,65 Kč
Bez DPH.
14denní lhůta pro vrácení zboží je zahrnuta v ceně
Hlavní benefity
Unipolární tranzistor (MOSFET)
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Typ
IRFB4610PBF
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
TO-220AB
- Výrobce
Infineon Technologies
- Výrobce
INF
- Provedení
N-kanál
- I(d)
73 A
- UBR DSS
100 V
- Výkon
190 W
- R(DS)(on)
14 mΩ
- Referenční proud R(DS)(on)
44 A
- Referenční napětí R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) max. referenční proud
100 µA
- Q(G)
140 nC
- Referenční napětí Q(G)
10 V
- C(ISS)
3550 pF
- Referenční napětí C(ISS)
50 V
- Provozní teplota (min.)
-55 °C
- Způsob montáže
průchozí otvor
- Série
HEXFET®
- Provozní teplota (max.)
+175 °C
- Vlastnost tranzistoru
standardní
- U(DSS)
100 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
- Provedení
N kanál
- Typ
IRFB4610PBF
- Pouzdro
TO-220AB
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 160947 Infineon Technologies IRFB4610PBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 190 W TO-220AB
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 160947 Infineon Technologies IRFB4610PBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 190 W TO-220AB