Infineon Technologies IRF7313PBF-GURT tranzistor MOSFET 2 N-kanál 2.0 W SO-8
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
SO-8
Provedení
N-kanál
Výkon
2.0 W
R(DS)(on)
0.046 Ω
Datasheety: (PDF)
Množství (Ks)
Sleva
Cena balení (Bez DPH.)
3
-
15,24821 Kč
9
7% = 1,08 Kč
14,17321 Kč
15
10% = 1,57 Kč
13,68222 Kč
30
12% = 1,89 Kč
13,35591 Kč
60
15% = 2,26 Kč
12,98690 Kč
120
18% = 2,67 Kč
12,57826 Kč
300
21% = 3,13 Kč
12,11928 Kč
Množstevní slevy se liší podle prodejce
Ušetříte 0,00 Kč
Počet
Min.: 3
Celková cena (15,24821 Kč / kus)
45,74 Kč
Bez DPH.
14denní lhůta pro vrácení zboží je zahrnuta v ceně
Hlavní benefity
Výkonový SMD MOSFET
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Typ
IRF7313PBF-GURT
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
SO-8
- Výrobce
Infineon Technologies
- Provedení
N-kanál
- Výkon
2.0 W
- R(DS)(on)
0.046 Ω
- Způsob montáže
povrchová montáž
- Kanály
2
- Obsah
1 ks
- UKCA
Ano
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 3026240 Infineon Technologies IRF7313PBF-GURT tranzistor MOSFET 2 N-kanál 2.0 W SO-8
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 3026240 Infineon Technologies IRF7313PBF-GURT tranzistor MOSFET 2 N-kanál 2.0 W SO-8