Ilustrační obrázek
Ilustrační obrázek
Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT tranzistor MOSFET 2 N-kanál 2.0 W SO-8
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
SO-8
Provedení
N-kanál
Výkon
2.0 W
R(DS)(on)
0.2 Ω
Datasheety: (PDF)
Množství (Ks)
Sleva
Cena balení (Bez DPH.)
5
-
21,43342 Kč
15
7% = 1,51 Kč
19,92236 Kč
25
10% = 2,20 Kč
19,23221 Kč
50
12% = 2,66 Kč
18,77354 Kč
100
15% = 3,18 Kč
18,25484 Kč
200
18% = 3,75 Kč
17,68043 Kč
500
21% = 4,40 Kč
17,03528 Kč
Množstevní slevy se liší podle prodejce
Ušetříte 0,00 Kč
Počet
Min.: 5
Celková cena (21,43342 Kč / kus)
107,17 Kč
Bez DPH.
14denní lhůta pro vrácení zboží je zahrnuta v ceně
Hlavní benefity
tranzistor MOSFET
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Typ
IRF7103PBF-GURT
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
SO-8
- Výrobce
Infineon Technologies
- Provedení
N-kanál
- Výkon
2.0 W
- R(DS)(on)
0.2 Ω
- Způsob montáže
povrchová montáž
- Kanály
2
- Obsah
1 ks
- UKCA
Ano
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 3026234 Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT tranzistor MOSFET 2 N-kanál 2.0 W SO-8
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 3026234 Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT tranzistor MOSFET 2 N-kanál 2.0 W SO-8