Infineon Technologies IRF1018ESPBF-GURT tranzistor MOSFET 1 N-kanál 110 W D2PAK
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
Typ pouzdra
D2PAK
Provedení
N-kanál
Výkon
110 W
R(DS)(on)
0.0084 Ω
Datasheety: (PDF)
Množství (Ks)
Sleva
Cena balení (Bez DPH.)
10
-
28,09 Kč
30
7% = 1,98 Kč
26,11 Kč
50
10% = 2,88 Kč
25,21 Kč
100
12% = 3,49 Kč
24,60 Kč
200
15% = 4,16 Kč
23,93 Kč
400
18% = 4,92 Kč
23,17 Kč
1000
21% = 5,76 Kč
22,33 Kč
Množstevní slevy se liší podle prodejce
Ušetříte 0,00 Kč
Počet
Min.: 10
Celková cena (28,09 Kč / kus)
280,90 Kč
Bez DPH.
Už jen 10 Ks skladem!
Hlavní benefity
tranzistor MOSFET
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Typ
IRF1018ESPBF-GURT
- Kategorie produktu
tranzistor MOSFET
- Typ pouzdra
D2PAK
- Výrobce
Infineon Technologies
- Provedení
N-kanál
- I(d)
79 A
- UBR DSS
60 V
- Výkon
110 W
- R(DS)(on)
0.0084 Ω
- Způsob montáže
povrchová montáž
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 3026220 Infineon Technologies IRF1018ESPBF-GURT tranzistor MOSFET 1 N-kanál 110 W D2PAK
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 3026220 Infineon Technologies IRF1018ESPBF-GURT tranzistor MOSFET 1 N-kanál 110 W D2PAK