Infineon Technologies IR2104SPBF tranzistor IGBT 2 SOIC-8
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Kategorie produktu
tranzistor IGBT
Typ pouzdra
SOIC-8
Způsob montáže
povrchová montáž
Typ
IR2104SPBF
Výrobce
Infineon Technologies
Datasheety: (PDF)
Množství (Ks)
Sleva
Cena balení (Bez DPH.)
5
-
95,03 Kč
15
7% = 6,20 Kč
88,83 Kč
25
9% = 8,69 Kč
86,34 Kč
50
11% = 10,34 Kč
84,69 Kč
100
13% = 12,21 Kč
82,82 Kč
200
15% = 14,28 Kč
80,75 Kč
Množstevní slevy se liší podle prodejce
Ušetříte 0,00 Kč
Počet
Min.: 5
Celková cena (95,03 Kč / kus)
475,15 Kč
Bez DPH.
14denní lhůta pro vrácení zboží je zahrnuta v ceně
Hlavní benefity
IR High Voltage MOSFET / IGBT Gate Driver
Dodatečné informace:
Technické parametry
- Napájecí napětí, min: 10 V.
- Napájecí napětí, max. 20 V.
- Typ
IR2104SPBF
- Kategorie produktu
tranzistor IGBT
- Typ pouzdra
SOIC-8
- Výrobce
Infineon Technologies
- Provozní teplota (min.)
-40 °C
- Způsob montáže
povrchová montáž
- Provozní teplota (max.)
+125 °C
- Kanály
2
- Obsah
1 ks
- UKCA
Ano
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 3028361 Infineon Technologies IR2104SPBF tranzistor IGBT 2 SOIC-8
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 3028361 Infineon Technologies IR2104SPBF tranzistor IGBT 2 SOIC-8