Ilustrační obrázek
Ilustrační obrázek
Infineon Technologies FP25R12W2T4BOMA1 tranzistor IGBT - modul 1200 V Bulk
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Druh obalu
Bulk
Kategorie produktu
tranzistor IGBT - modul
Kolektorový proud (C)
39 A
Způsob montáže
šasi
Typ
FP25R12W2T4BOMA1
Datasheety: (PDF)
Počet
Celková cena (1 437,19 Kč / kus)
1 437,19 Kč
Bez DPH.
Už jen 6 Ks skladem!
Hlavní benefity
Invertor INFINEON Converter-Brake moduly
Dodatečné informace:
Technické parametry
- (UGE(th)) Gate emitor prahové napětí: 5,8 V.
- (ICpuls) pulsní kolektor- proud: 50 A.
- Druh obalu
Bulk
- Typ
FP25R12W2T4BOMA1
- Kategorie produktu
tranzistor IGBT - modul
- Výrobce
Infineon Technologies
- Napětí kolektor - emitor (CES)
1200 V
- Kolektorový proud (C)
39 A
- Zpoždění zapnutí
26 ns
- Zpoždění vypnutí
190 ns
- Způsob montáže
šasi
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 3027162 Infineon Technologies FP25R12W2T4BOMA1 tranzistor IGBT - modul 1200 V Bulk
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 3027162 Infineon Technologies FP25R12W2T4BOMA1 tranzistor IGBT - modul 1200 V Bulk