Infineon Technologies 600V 10÷15,6VDC MOSFET Halbbrücke IC: driver 625mW SO8 Ch: 2 PMIC Gate Driver SOIC-8 Tube
EAN:
Označení výrobce:
Objednací číslo:
Druh obalu
Tube
Kategorie produktu
PMIC Gate Driver
Typ pouzdra
SOIC-8
Způsob montáže
povrchová montáž
Typ
600V 10÷15,6VDC MOSFET Halbbrücke IC: driver 625mW SO8 Ch: 2
Datasheety: (PDF)
Množství (Ks)
Sleva
Cena balení (Bez DPH.)
5
-
74,37 Kč
15
7% = 5,56 Kč
68,81 Kč
25
10% = 7,79 Kč
66,58 Kč
50
12% = 9,27 Kč
65,10 Kč
100
15% = 10,94 Kč
63,43 Kč
200
17% = 12,80 Kč
61,57 Kč
500
21% = 15,26 Kč
59,11 Kč
Množstevní slevy se liší podle prodejce
Ušetříte 0,00 Kč
Počet
Min.: 5
Celková cena (74,37 Kč / kus)
371,85 Kč
Bez DPH.
14denní lhůta pro vrácení zboží je zahrnuta v ceně
Hlavní benefity
IR High Voltage MOSFET / IGBT Gate Driver
Dodatečné informace:
Technické parametry
- (tón) zpoždění zapnutí: 0,08 µs
- (Toff) časový plán vypnutí: 0,045 µs
- Druh obalu
Tube
- Typ
600V 10÷15,6VDC MOSFET Halbbrücke IC: driver 625mW SO8 Ch: 2
- Kategorie produktu
PMIC Gate Driver
- Typ pouzdra
SOIC-8
- Výrobce
Infineon Technologies
- Vstupní napětí (min.)
10 V
- Vstupní napětí (max.)
20 V
- Provozní teplota (min.)
-40 °C
- Provozní teplota (max.)
+125 °C
- Způsob montáže
povrchová montáž
- Aplikace
kontrola proudu/napětí
- UKCA
bezvýznamný
Ke stažení
List technických údajů
List technických údajů 3028368 Infineon Technologies 600V 10÷15,6VDC MOSFET Halbbrücke IC: driver 625mW SO8 Ch: 2 PMIC Gate Driver SOIC-8 Tube
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 3028368 Infineon Technologies 600V 10÷15,6VDC MOSFET Halbbrücke IC: driver 625mW SO8 Ch: 2 PMIC Gate Driver SOIC-8 Tube
Popis
Integrované obvody předních výrobců. Rozsáhlá dokumentace je vám bezplatně k dispozici v sekci „Ke stažení“.
Tento text byl přeložen strojově.
Tento text byl přeložen strojově.