
Ilustrační obrázek
Ilustrační obrázek
4N35-000E
optočlen - fototranzistor
DIP-6
Broadcom
BCL
1.2 V
60 mA
6 V
1
DC
tranzistor se základnou
3550 V RMS
+100 °C
-55 °C
průchozí otvor
1.5 V
3 µs
3 µs
100 mA
350 mW
30 V
100 %
10 mA
300 mV
100 mA
1 ks
DC-FotoTX-konektor 1kanál.
4N35-000E
DIP 6
List technických údajů 140257 Broadcom optočlen - fototranzistor 4N35-000E DIP-6 tranzistor se základnou DC
Návod k obsluze a bezpečnostní pokyny 140257 Broadcom optočlen - fototranzistor 4N35-000E DIP-6 tranzistor se základnou DC