Tranzistor MOSFET ON Semiconductor BF256B, 1 N-kanál, 350 mW, TO-92-3 | Conrad.cz
Domů » Součástky » Aktivní součástky » Polovodiče » FET » Tranzistory MOSFET » Tranzistor MOSFET ON Semiconductor BF256B, 1 N-kanál, 350 mW, TO-92-3
ON SemiconductorON Semiconductor

Tranzistor MOSFET ON Semiconductor BF256B, 1 N-kanál, 350 mW, TO-92-3

Obj.č.: 563810
  • Množstevní sleva
  • Novinka
Tranzistor MOSFET ON Semiconductor BF256B, 1 N-kanál, 350 mW, TO-92-3
Ilustrační obrázek
Vaše cena bez DPH:10,74 Kč
Vaše cena vč. DPH:13,- Kč
Hodnocení produktu: hodnotit
Dostupnost: Skladem (více info)
Při koupi 25 ks zaplatíte jen 11,- Kč za kus.
Ks:  

Porovnat s jiným výrobkem Technické parametry

Typ (výrobce)BF256B
Typ pouzdra (polovodiče)TO-92-3
VýrobceON Semiconductor
Zkratka výrobce (součástky)OnS
Typ tranzistoruN-kanál
Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS)30 V
Výkon350 mW
Provozní teplota (min.)-55 °C
Způsob montážePrůchozí otvor
Provozní teplota (max.)+150 °C
U(DSS)30 V
Typ tranzistoruTranzistor MOSFET
Kanálů1
Splňuje RoHSAno

Technické dotazy a diskuze k výrobku: Tranzistor MOSFET ON Semiconductor BF256B, 1 N-kanál, 350 mW, TO-92-3

Diskuze je dostupná pouze pro zaregistrované zákazníky. Chcete-li vložit příspěvek, přihlaste se.

Hodnocení výrobku: Tranzistor MOSFET ON Semiconductor BF256B, 1 N-kanál, 350 mW, TO-92-3

Tranzistor MOSFET ON Semiconductor BF256B, 1 N-kanál, 350 mW, TO-92-3
Průměrné hodnocení zákazníků:
Ještě nikdo nehodnotil
Jméno:
Komentář:

Klikněte na počet hvězdiček pro hodnocení.
Nejvíce hvězdiček = nejlepší hodnocení

Společnost Conrad Electronic si vyhrazuje právo smazat hodnocení, která se nevztahují přímo k danému výrobku, komentují pouze cenu výrobku, jsou v nich použity hrubé výrazy, jsou záměrně nepravdivá, nebo v nich jsou užity odkazy na cizí stránky.

Podobné alternativní výrobky

Detailní porovnání
Produkt
 
Stav:
Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS)
Typ (výrobce)
Typ pouzdra (polovodiče)
Provozní teplota (max.)
Typ tranzistoru
U(DSS)
Výkon
R(DS)(on)
I(d)
Referenční proud R(DS)(on)
C(ISS)
U(GS)(th) max.
Série (polovodiče)
Referenční napětí Q(G)
Q(G)
Produkt Tranzistor MOSFET ON Semiconductor BS270, 1 N-kanál, 625 mW, TO-92-3 Tranzistor MOSFET ON Semiconductor BS270, 1 N-kanál, 625 mW, TO-92-3
0
20,-
Tranzistor MOSFET ON Semiconductor BF256B, 1 N-kanál, 350 mW, TO-92-3 Tranzistor MOSFET ON Semiconductor BF256B, 1 N-kanál, 350 mW, TO-92-3
0
13,-
Tranzistor MOSFET ON Semiconductor FQPF6N80T, 1 N-kanál, 51 W, TO-220F Tranzistor MOSFET ON Semiconductor FQPF6N80T, 1 N-kanál, 51 W, TO-220F
0
139,-
Tranzistor MOSFET ON Semiconductor FQPF33N10L, 1 N-kanál, 41 W, TO-220F Tranzistor MOSFET ON Semiconductor FQPF33N10L, 1 N-kanál, 41 W, TO-220F
0
70,-
Tranzistor MOSFET ON Semiconductor FQP8P10, 1 P-kanál, 65 W, TO-220 Tranzistor MOSFET ON Semiconductor FQP8P10, 1 P-kanál, 65 W, TO-220
0
49,-
Tranzistor MOSFET ON Semiconductor FQP3P20, 1 P-kanál, 52 W, TO-220 Tranzistor MOSFET ON Semiconductor FQP3P20, 1 P-kanál, 52 W, TO-220
0
45,-
Tranzistor MOSFET ON Semiconductor FQP3N30, 1 N-kanál, 55 W, TO-220 Tranzistor MOSFET ON Semiconductor FQP3N30, 1 N-kanál, 55 W, TO-220
0
46,-
Tranzistor MOSFET ON Semiconductor FDPF7N60NZ, 1 N-kanál, 33 W, TO-220F Tranzistor MOSFET ON Semiconductor FDPF7N60NZ, 1 N-kanál, 33 W, TO-220F
0
64,-
 
Stav Skladem Skladem Skladem Orientační naskladnění 31.8.2018 Skladem Skladem Skladem Skladem
Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS) 60 V 30 V 800 V 100 V 100 V 200 V 300 V 600 V
Typ (výrobce) BS270 BF256B FQPF6N80T FQPF33N10L FQP8P10 FQP3P20 FQP3N30 FDPF7N60NZ
Typ pouzdra (polovodiče) TO-92-3 TO-92-3 TO-220F TO-220F TO-220 TO-220 TO-220 TO-220F
Provozní teplota (max.) +150 °C +150 °C +150 °C +175 °C +175 °C +150 °C +150 °C +150 °C
Typ tranzistoru N-kanál N-kanál N-kanál N-kanál P-kanál P-kanál N-kanál N-kanál
U(DSS) 60 V 30 V 800 V 100 V 100 V 200 V 300 V 600 V
Výkon 625 mW 350 mW 51 W 41 W 65 W 52 W 55 W 33 W
R(DS)(on) 2 Ω 1.95 Ω 52 mΩ 530 mΩ 2.7 Ω 2.2 Ω 1.25 Ω
I(d) 400 mA 3.3 A 18 A 8 A 2.8 A 3.2 A 6.5 A
Referenční proud R(DS)(on) 500 mA 1.65 A 9 A 4 A 1.4 A 1.6 A 3.25 A
C(ISS) 50 pF 1500 pF 1630 pF 470 pF 250 pF 230 pF 730 pF
U(GS)(th) max. 2.5 V 5 V 2 V 4 V 5 V 5 V 5 V
Série (polovodiče) QFET® QFET® QFET® QFET® QFET® UniFET-II™
Referenční napětí Q(G) 10 V 5 V 10 V 10 V 10 V 10 V
Q(G) 31 C 40 C 15 C 8 C 7 C 17 C

Z našich recenzí a testů

3D novinky, co je to 3D tisk, představení 3D tiskárny K8200
3D novinky, co je to 3D tisk, představení 3D tiskárny K8200

Jde o tisk, při kterém se pomocí speciálního zařízení – 3D tiskárny – vytvářejí trojrozměrné objekty. Tyto objekty jsou přitom vytvářeny z vhodného materiálu, například z umělé hmoty ABS (Akrylonitril - Butadien – Styren) nebo PLA (polymléčná kyselina „Polylactic Acid“).

Přečíst celý článek
Zavřít
Poslat produkt e-mailem
Tranzistor MOSFET ON Semiconductor BF256B, 1 N-kanál, 350 mW, TO-92-3
Tranzistor MOSFET ON Semiconductor BF256B, 1 N-kanál, 350 mW, TO-92-3
Vzkaz pro příjemce:
Zavřít
Hlídání produktu
Tranzistor MOSFET ON Semiconductor BF256B, 1 N-kanál, 350 mW, TO-92-3

Cena produktu Tranzistor MOSFET ON Semiconductor BF256B, 1 N-kanál, 350 mW, TO-92-3 je aktuálně 13,- Kč. Pohlídejte si pokles ceny produktu zadáním své e-mailové adresy a ceny. Jakmile cena produktu klesne pod Vámi stanovenou hranici, pošleme Vám e-mail.

Informace o dostupnosti

Zboží předáváme dopravci zpravidla do 1-2 pracovních dnů. Doba přepravy se liší podle zvoleného dopravce:

2 - 5 dnů Česká pošta Cena: 110,- Kč
1 - 3 dnů PPL Cena: 120,- Kč
Pro komfortnější prohlížení našeho eshopu používáme cookies. Procházením webu souhlasíte s jejich používáním.

Conrad Electronic