Infineon Technologies IRFP064NPBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 200 W TO-247

  • Objednací číslo: 162637
  • Označení výrobce: IRFP064NPBF
  • EAN: 2050000042850

Tranzistor MOSFET je stavební součástka řízená napětím, kterou lze připojit přímo na vysokoohmové zdroje. Je proto vhodná pro použití jako vypínač nebo analogový zesilovač. Tento tranzistor je kompatibilní s µC, TTL a CMOS. Poznámka: Výrobce SIE = IN…

  • Objednací číslo: 162637
  • Označení výrobce: IRFP064NPBF
  • EAN: 2050000042850

Tranzistor MOSFET je stavební součástka řízená napětím, kterou lze připojit přímo na vysokoohmové zdroje. Je proto vhodná pro použití jako vypínač nebo analogový zesilovač. Tento tranzistor je kompatibilní s µC, TTL a CMOS. Poznámka: Výrobce SIE = IN…

Typ IRFP064NPBF
Typ pouzdra TO-247
Výrobce Infineon Technologies
Výrobce INF
Provedení N-kanál
I(d) 110 A
UBR DSS 55 V
Ptot 200 W
RDS(on) 8 mΩ
Referenční proud R(DS)(on) 59 A
Referenční napětí R(DS)(on) 10 V
U(GS)(th) max. 4 V
U(GS)(th) max. referenční proud 250 µA
Q(G) 170 nC
Referenční napětí Q(G) 10 V
C(ISS) 4000 pF
Referenční napětí C(ISS) 25 V
Provozní teplota (min.) -55 °C
Způsob montáže průchozí otvor
Série HEXFET®
Provozní teplota (max.) +175 °C
Vlastnost tranzistoru standardní
U(DSS) 55 V
Kanály 1
Provedení HEXFET
Typ IRFP 064 N
Popis 55 V/72 A
Kategorie produktu tranzistor MOSFET

Technické parametry

Typ IRFP064NPBF
Typ pouzdra TO-247
Výrobce Infineon Technologies
Výrobce INF
Provedení N-kanál
I(d) 110 A
UBR DSS 55 V
Ptot 200 W
RDS(on) 8 mΩ
Referenční proud R(DS)(on) 59 A

Nejčastěji kupované s tímto produktem

Podobné produkty

Podívejte se na další produkty z kategorie Tranzistory MOSFET