Doprava zdarma nad 1 000,- Kč
Léto s Conradem
Letní výprodej, slevy až 51%
Domů » Součástky » Aktivní součástky » Polovodiče » FET » Tranzistory MOSFET » MOSFET (≤1 W ) NXP Semiconductors BSP 250 GEG NXP (při 1000 mA) 0,25 Ω, 30 V, 3 A SOT 223

MOSFET (≤1 W ) NXP Semiconductors BSP 250 GEG NXP (při 1000 mA) 0,25 Ω, 30 V, 3 A SOT 223

Obj.č.: 150848
Výrobce: NXP NXP
MOSFET (≤1 W ) NXP Semiconductors BSP 250 GEG NXP (při 1000 mA) 0,25 Ω, 30 V, 3 A SOT 223
Ilustrační obrázek
Vaše cena bez DPH:22,31 Kč
Vaše cena vč. DPH:27,- Kč
Hodnocení produktu: hodnotit
Dostupnost: Skladem (více info)
Ks:  

Porovnat s jiným výrobkem Technické parametry

Typ (výrobce)BSP250GEG
Typ pouzdra (polovodiče)SOT-223
VýrobceNXP Semiconductors
Zkratka výrobce (součástky)NXP
Typ tranzistoruP kanál
I(d)3 A
Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS)30 V
Výkon1.65 W
R(DS)(on)250 mΩ
Referenční proud R(DS)(on)1 A
Referenční napětí R(DS)(on)10 V
U(GS)(th) max.2.8 V
U(GS)(th) max. referenční proud1 mA
Q(G)25 C
Referenční napětí Q(G)10 V
C(ISS)250 pF
Referenční napětí C(ISS)20 V
Provozní teplota (max.)+150 °C
U(DSS)30 V
Typ tranzistoruTranzistor MOSFET
kanálů1

Technické dotazy a diskuze k výrobku "MOSFET (≤1 W ) NXP Semiconductors BSP 250 GEG NXP (při 1000 mA) 0,25 Ω, 30 V, 3 A SOT 223"

MOSFET (≤1 W ) NXP Semiconductors BSP 250 GEG NXP (při 1000 mA) 0,25 Ω, 30 V, 3 A SOT 223
Obj.č.: 150848
Jméno:E-mail:
E-mailová adresa nebude zveřejněna.
Nadpis příspěvku:
Váš dotaz:
Společnost Conrad Electronic si vyhrazuje právo smazat dotazy, které se nevztahují přímo k danému výrobku, komentují cenu výrobku, jsou v nich použity hrubé výrazy, jsou záměrně nepravdivé, nebo v nich jsou užity odkazy na cizí stránky.
Máte dotaz na návod? Kontaktujte přímo naše techniky na .

Hodnocení výrobku "MOSFET (≤1 W ) NXP Semiconductors BSP 250 GEG NXP (při 1000 mA) 0,25 Ω, 30 V, 3 A SOT 223"

MOSFET (≤1 W ) NXP Semiconductors BSP 250 GEG NXP (při 1000 mA) 0,25 Ω, 30 V, 3 A SOT 223
Průměrné hodnocení zákazníků:
Ještě nikdo nehodnotil
Jméno:
Komentář:

Klikněte na počet hvězdiček pro hodnocení.
Nejvíce hvězdiček = nejlepší hodnocení

Společnost Conrad Electronic si vyhrazuje právo smazat hodnocení, která se nevztahují přímo k danému výrobku, komentují pouze cenu výrobku, jsou v nich použity hrubé výrazy, jsou záměrně nepravdivá, nebo v nich jsou užity odkazy na cizí stránky.

Podobné alternativní výrobky

Detailní porovnání
Produkt
 
Stav:
Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS)
Typ (výrobce)
Typ pouzdra (polovodiče)
R(DS)(on)
I(d)
Referenční proud R(DS)(on)
C(ISS)
U(DSS)
U(GS)(th) max.
Referenční napětí C(ISS)
Výkon
Produkt MOSFET (≤1 W ) NXP Semiconductors BSP 250 GEG NXP (při 1000 mA) 0,25 Ω, 30 V, 3 A SOT 223 MOSFET (≤1 W ) NXP Semiconductors BSP 250 GEG NXP (při 1000 mA) 0,25 Ω, 30 V, 3 A SOT 223
0
27,-
MOSFET (≤1 W ) NXP Semiconductors BSS 84 GEG SMD NXP (při 100 mA) 10 Ω, 50 V, 0,13 A SOT 23 MOSFET (≤1 W ) NXP Semiconductors BSS 84 GEG SMD NXP (při 100 mA) 10 Ω, 50 V, 0,13 A SOT 23
0
4,80
 
Stav Skladem Skladem
Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS) 30 V 50 V
Typ (výrobce) BSP250GEG BSS84GEG
Typ pouzdra (polovodiče) SOT-223 SOT-23
R(DS)(on) 250 mΩ 10 Ω
I(d) 3 A 130 mA
Referenční proud R(DS)(on) 1 A 130 mA
C(ISS) 250 pF 45 pF
U(DSS) 30 V 50 V
U(GS)(th) max. 2.8 V 2 V
Referenční napětí C(ISS) 20 V 25 V
Výkon 1.65 W 0.36 W

Zákazníci, kteří si objednali tento výrobek, současně zakoupili

Aktuálně prohlížené zboží na www.conrad.cz:

Z našich recenzí a testů

3D novinky, co je to 3D tisk, představení 3D tiskárny K8200
3D novinky, co je to 3D tisk, představení 3D tiskárny K8200

Jde o tisk, při kterém se pomocí speciálního zařízení – 3D tiskárny – vytvářejí trojrozměrné objekty. Tyto objekty jsou přitom vytvářeny z vhodného materiálu, například z umělé hmoty ABS (Akrylonitril - Butadien – Styren) nebo PLA (polymléčná kyselina „Polylactic Acid“).

Přečíst celý článek
Zavřít
Poslat produkt e-mailem
MOSFET (≤1 W ) NXP Semiconductors BSP 250 GEG NXP (při 1000 mA) 0,25 Ω, 30 V, 3 A SOT 223
MOSFET (≤1 W ) NXP Semiconductors BSP 250 GEG NXP (při 1000 mA) 0,25 Ω, 30 V, 3 A SOT 223
Vzkaz pro příjemce:
Zavřít
Hlídání produktu
MOSFET (≤1 W ) NXP Semiconductors BSP 250 GEG NXP (při 1000 mA) 0,25 Ω, 30 V, 3 A SOT 223

Cena produktu MOSFET (≤1 W ) NXP Semiconductors BSP 250 GEG NXP (při 1000 mA) 0,25 Ω, 30 V, 3 A SOT 223 je aktuálně 27,- Kč. Pohlídejte si pokles ceny produktu zadáním své e-mailové adresy a ceny. Jakmile cena produktu klesne pod Vámi stanovenou hranici, pošleme Vám e-mail.

Informace o dostupnosti

Zboží předáváme dopravci zpravidla do 1-2 pracovních dnů. Doba přepravy se liší podle zvoleného dopravce:

2 - 5 dnů Česká pošta Cena: 110,- Kč
1 - 3 dnů PPL Cena: 120,- Kč
Pro komfortnější prohlížení našeho eshopu používáme cookies. Procházením webu souhlasíte s jejich používáním.

Conrad Electronic
Zákaznická infolinka 226 224 222